提升Low_K_晶圆划片良率与可靠性的组合划片工艺研究.docx

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2025-10-19 发布于中国
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研究报告

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提升Low_K_晶圆划片良率与可靠性的组合划片工艺研究

一、引言

1.研究背景

(1)随着半导体行业的快速发展，集成电路的集成度不断提高，对芯片的性能、功耗和可靠性提出了更高的要求。作为集成电路制造过程中的关键环节，晶圆划片工艺直接影响到芯片的质量和良率。近年来，Low_K材料因其低介电常数和高热导率等优点，被广泛应用于高性能集成电路制造中。然而，Low_K材料的脆性和易碎性给划片工艺带来了极大的挑战，如何提高Low_K晶圆的划片良率和可靠性成为当前半导体行业亟待解决的问题。

(2)Low_K晶圆划片工艺的复杂性和特殊性，使得传统的划片方法难以