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探秘GaAs(Sb,Bi)半导体及其纳米线体系：红外光学与极化特性的深度剖析.docx

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    探秘GaAs(Sb,Bi)半导体及其纳米线体系：红外光学与极化特性的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代科技飞速发展的时代，半导体材料作为关键基础材料，在众多领域发挥着不可或缺的作用。其中，GaAs(Sb,Bi)半导体及其纳米线体系因其独特的物理性质，在红外光学和极化特性研究方面备受关注，展现出巨大的研究价值和应用潜力。

    GaAs(Sb,Bi)半导体是在传统GaAs半导体的基础上，通过引入Sb和Bi元素形成的三元化合物半导体。这种材料的能带结构可通过调整Sb和Bi的含量进行精确调控，为实现特定光学和电学性能提供了可能。特别是在红外波段，GaAs(Sb

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