2025年集成电路工艺原理芯片制造课程试题库.doc

一、填空題（30分=1分*30）10題/章

晶圆制备

用来做芯片的高纯硅被称為（半导体级硅），英文简称（GSG），有時也被称為（電子级硅）。

單晶硅生長常用（CZ法）和（区熔法）两种生長方式，生長後的單晶硅被称為（硅锭）。

晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。

晶圆制备的九個工艺环节分别是（單晶生長）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。

從半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。

CZ直拉法生長單晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变為（有對的晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。

CZ直拉法的目的是（实現均匀掺杂的同步并且复制仔晶的构造，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两個重要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。

晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。

制备半导体级硅的過程：1（制备工业硅）；2（生長硅單晶）；3（提纯）。

氧化

二氧化硅按构造可分為（）和（）或（）。

热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（迅速热处理炉）。

根据氧化剂的不一样，热氧化可分為（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。

用于热工艺的立式炉的重要控制系统分為五部分：（工艺腔）、（硅片传播系统）、气体分派系统、尾气系统和（温控系统）。

选择性氧化常見的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英語缩略語分别為LOCOS和（STI）。

列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、場氧化层和（金属层间介质）。

可在高温设备中進行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。

硅片上的氧化物重要通過（热生長）和（淀积）的措施产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物重要為层状构造，因此又称為（薄膜）。

热氧化的目的是按照（）规定生長（）、（）的二氧化硅薄膜。

立式炉的工艺腔或炉管是對硅片加热的場所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）构成。

淀积

目前常用的CVD系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。

淀积膜的過程有三個不一样的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。

缩略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化學气相淀积）、（低压化學气相淀积）、高密度等离子体化學气相淀积、和（常压化學气相淀积）。

在外延工艺中，假如膜和衬底材料（相似），例如硅衬底上長硅膜，這样的膜生長称為（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的状况，例如硅衬底上長氧化铝，则称為（异质外延）。

假如淀积的膜在台阶上過度地变薄，就轻易导致高的（膜应力）、（電短路）或者在器件中产生不但愿的（诱生電荷）。

深宽比定义為间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的經典值不小于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且會产生（）和（）。

化學气相淀积是通過（）的化學反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。

化學气相淀积的基本方面包括：（）；（）；（）。

在半导体产业界第一种类型的CVD是（），其发生在（）区域，在任何給定的時间，在硅片表面（）的气体分子供发生反应。

HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分為：（）、（）、（）、热中性CVD和反射。

金属化

金属按其在集成電路工艺中所起的作用，可划分為三大类：（）、（）和（）。

气体直流辉光放電分為四個区，分别是：無光放電区、汤生放電区、辉光放電区和電弧放電区。其中辉光放電区包括前期辉光放電区、（