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晶体管原理及设计半导体器件答案
第2章1、在N区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：当x=xn时，E(x)=0，因此，于是得：（2-5a）2021/2/282
3、2021/2/283
4、2021/2/284
6、ND2ND12021/2/285
2021/2/286
8、(1)2021/2/287
2021/2/288
(2)2021/2/289
2021/2/2810
20、2021/2/2811
24、PN结的正向扩散电流为式中的I0因含ni2而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是PN结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为2021/2/2812
31、当N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当N-区缩短到W=3?m时，雪崩击穿电压成为：2021/2/2813
34、2021/2/2814
39、2021/2/2815
第3章1、NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图2021/2/2816
2、NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图2021/2/2817
3、2021/2/2818
6、2021/2/2819
7、8、以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），再根据注入效率的定义，可得：2021/2/2820
9、2021/2/2821
10、(1)(2)(3)(4)2021/2/2822
14、2021/2/2823
15、2021/2/2824
20、当忽略基区中的少子复合及ICEO时，2021/2/2825
2021/2/2826
27、实质上是ICS。22、2021/2/2827
使NBNC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。39、为提高穿通电压Vpt，应当增大WB和NB，但这恰好与提高β相矛盾。解决方法：2021/2/2828
48、当IE很大时，这时α0α；当IE很小时，这时α0α；在IE很小或很大时，α都会有所下降。在正常的IE范围内，α几乎不随IE变化，这时β0与β也有类似的关系。2021/2/2829
58、2021/2/2830
2021/2/2831
59、2021/2/2832
65、(1)(3)(2)(4)2021/2/2833
68、2021/2/2834
第5章1、2021/2/2835
3、2021/2/2836
2021/2/2837
5、2021/2/2838
6、2021/2/2839
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8、2021/2/2841
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