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ZnO薄膜：生长机制、物性特征与多元应用的深度剖析.docx

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    ZnO薄膜：生长机制、物性特征与多元应用的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在半导体材料的广阔领域中，ZnO薄膜凭借其独特的物理性质和多样的应用潜力，占据着极为重要的地位。ZnO作为一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度达到3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温热能（26meV）。这一特性使得激子在室温下能够稳定存在，为实现高效的室温紫外光发射提供了可能。

    从材料特性来看，ZnO具有良好的化学热稳定性及抗辐射性能，在严苛的环境条件下仍能保持其结构和性能的稳定。其在酸和碱金属中容易蚀刻的特点，又为制备小尺寸器件提供了便利的工艺途径。与其他宽禁带半导体

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