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PVT法生长SiC晶体热系统：原理、特性与优化策略.docx

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    PVT法生长SiC晶体热系统：原理、特性与优化策略

    一、引言

    1.1研究背景

    在半导体材料的发展历程中，碳化硅（SiC）晶体作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其卓越的物理化学特性，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。SiC晶体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等一系列优异性能，这些特性使其在高温、高频、大功率以及抗辐射等应用场景中表现出色，成为了现代电子技术发展中不可或缺的关键材料。

    在电力电子领域，随着新能源汽车、智能电网、可再生能源发电等产业的快速发展，对高效、高功率密度的电力电子器件需求日益增长。SiC晶体因其高耐压和低导通电阻特性，能够显著降低器件的能量损

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