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【摘要】
二维III-V族化合物是优秀的半导体材料，在光电领域被广泛应用。本文使用MaterialsStudio
软件进行材料模型构建，采用VASP软件进行理论计算，最后使用可视化分析软件Origin对模拟结果
进行分析，研究了GaN、AlN、InN块体的电子结构，多种二维GaN、AlN、InN结构的电子结构和光学
性质，并进行了相互比较，并对其中一种二维GaN结构进行了进一步应变外力调控研究。
结果表明，随着尺寸的减小，二维材料的能带结构发生了巨大变化，能带变宽，各个能级的值发
生了波动。二维材料的量子尺寸效应明显，其原因是化合物中N原
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