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氧化铪基铁电场效应晶体管的质子辐照模拟研究.docx

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    氧化铪基铁电场效应晶体管的质子辐照模拟研究

    摘要：氧化铪基铁电存储器因其优异的读写能力与抗辐照性能而被应用于航空航天工程。利用SentaurusTCAD软件建立了铁电场效应晶体管的模型，研究了辐射前栅、漏电压变化对FeFET的影响；以及经受质子辐照后，入射能量值、入射位置对FeFET造成的影响；还研究了不同栅氧绝缘层与铁电层下的FeFET的抗辐照性能。结果表明：栅、漏极电压的改变都能引起FeFET的输出特性的变化；质子辐射前后FeFET的转移特性曲线不同;一定能量的质子入射位置的不同并不能引起FeFET转移特性的变化。

    关键词：铁电场效应晶体管；质子；辐

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