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摘要：现如今传统存储器不能够满足人们对于数据存储的需求，随后研究者们发现了一种从未见过的新型存储器，其中阻变存储器尤为优异。NiO和HfO2向人们表现出稳定的双极性特性，且可擦写的次数很多，在高温下可保持很长的时间。本论文选择NiO和HfO2作为研究对象，制备Pt/NiO/HfO2/TiN结构器件，并在三个温度300k、325k、350k下用半导体分析仪测试Pt/NiO/HfO2/TiN结构器件。
关键词：阻变存储器；NiO/HfO2薄膜；阻变性能
Abstract:atpresent,thetraditionalmemorycannotmeettheneedsofpe
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