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磁控溅射法制备氧化锌薄膜及其光学性能的深度探究.docx

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    磁控溅射法制备氧化锌薄膜及其光学性能的深度探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代科技飞速发展的背景下，半导体材料作为电子信息产业的基础，其性能和应用一直是科研领域的重点关注对象。氧化锌（ZnO）薄膜作为一种具有独特物理性质的半导体材料，近年来在光电器件、传感器、太阳能电池等众多领域展现出巨大的应用潜力，引起了广泛的研究兴趣。

    氧化锌是一种宽禁带半导体材料，其晶体结构为六方纤锌矿结构，常温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这些特性使得氧化锌薄膜具备优异的光电、压电、介电及晶格特性。在光电器件方面，由于其能够实现室温下的高效激子复合发光，是理想的短波长发光器件

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