1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 报告/分析
  5. 冶金

介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长机制与性能优化研究.docx

介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长机制与性能优化研究.docx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长机制与性能优化研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今科技飞速发展的时代，电子信息系统正朝着微型化、单片集成化方向迅猛迈进，以满足人们对设备体积更小、功能更强的需求。这种发展趋势对电子薄膜与器件提出了尺寸小型化和功能集成化的严格要求，促使科研人员不断探索新型材料和制备技术。

    介电氧化物材料以其独特的极化特性和丰富的功能特性，如高介电常数、铁电性、压电性等，在电子领域展现出巨大的应用潜力。将介电氧化物材料通过外延薄膜的方式与GaN半导体生长在一起，形成介电氧化物/GaN集成薄膜，为高性能电子器件的研制开辟了新的路径。

    GaN半导体凭借其宽

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    chilejiupang + 关注
    实名认证
    内容提供者

    该用户很懒，什么也没介绍

    咨询Ta 进入空间

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >