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第15卷第12期电子与封装
第15卷，第12期电子与封装总第152期
Vol.15，No.12ELECTRONICSPACKAGING2015年12月
SiGeBiCMOS工艺集成技术研究
李红征
（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）
摘要：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基
区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺
集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模
块，包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种
SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺，进行了工艺集成技术难点与关
键工艺方面的研究，并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
关键词：硅锗合金；BiCMOS工艺；异质结双极晶体管；BBGate工艺；BAGate工艺；BDGate工艺
中图分类号：TN305文献标识码:A文章编号：1681-1070（2015）12-0034-04
DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0134
DiscussionofSiGeBiCMOSTechnologyProcessIntegration
LIHongzheng
（ChinaElectronicTechnologyGroupCorporationNo.58ResearchInstitute,Wuxi214035,China）
Abstract:SiGeHBT,theessentialdeviceofSiGeBiCMOStechnology,isintroduced.Theprocessmodules
oftheformationofCollector,BaseandEmitteroftheSiGeHBTareintroduced.Also3typesofprocessflow,
BBGate,BAGate,BDGate,appliedindifferentSiGeBiCMOStechnologynodes,arediscussed.Thepaper
reviewstheprocessdevelopmentandintegrationmethodology,presentsthedevicecharacteristics,andshows
howthedevelopmentanddeviceselectionweregearedtowardusageinmixed-signalICdevelopment.
Keywords：SiGe;BiCMOS;HBT;BBGate;BAGate;BDGate
综合性能因素权衡考虑，比其他工艺集成技术更具竞
1前言争优势。
SiGeBiCMOS工艺集成技术是一种非常适用于
SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在模拟/混合信号电路制造的新工艺技术。这种工艺制
制造电路结构中的双极晶体管时，在
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