【MOOC答案】《VLSI设计基础(数字集成电路设计基础)》(东南大学)章节作业慕课答案.docx

【答案】《VLSI设计基础(数字集成电路设计基础)》(东南大学)章节作业慕课答案

有些题目顺序不一致，下载后按键盘ctrl+F进行有哪些信誉好的足球投注网站

第二章MOS晶体管原理

第二章单元测试2

1.单选题：下面关于MOSFET电容不正确的是：

选项：

A、结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的。

B、避免电路工作在阈值电压附近可以使线性电容具有较好特性。

C、栅至沟道的电容CGC的大小以及它的划分取决于工作区域和端口电压。

D、横向扩散xd是由工艺决定的，习惯上把它与每单位面积的栅氧电容相乘得到每单位晶体管宽度的覆盖电容。

答案：【结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的。】

2