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模拟电子技术基础-知识点总结

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一、半导体得基础知识

1、半导体-－-导电能力介于导体与绝缘体之间得物质（如硅Ｓi、锗Gｅ）。

２、特性－--光敏、热敏与掺杂特性。

3、本征半导体－纯净得具有单晶体结构得半导体。

4、两种载流子带有正、负电荷得可移动得空穴与电子统称为载流子。

５、杂质半导体－在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导体。体现得就就是半导体得掺杂特性。

＊P型半导体:在本征半导体中掺入微量得三价元素(多子就就是空穴,少子就就是电子)。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量得五价元素(多子就就是电子，少子就就是空穴)。

6、杂质半导体得特性

*载流子得浓度多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

＊体电阻--－通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻。

*转型-－-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7、PN结

*PN结得接触电位差硅材料约为0、6~０、8V，锗材料约为０、2~0、3Ｖ。

*PＮ结得单向导电性正偏导通，反偏截止。

8、PN结得伏安特性

二、半导体二极管

*单向导电性--－-－-正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性-－--同PN结。

＊正向导通压降－硅管０、6～0、７Ｖ,锗管０、2~0、３V。

*死区电压－--－--硅管０、5V，锗管0、1V。

３、分析方法－--将二极管断开,分析二极管两端电位得高低:

若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);

若V阳V阴(反偏）,二极管截止(开路)。

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

得交点叫静态工作点Q。

2）等效电路法

直流等效电路法

*总得解题手段－-－－将二极管断开,分析二极管两端电位得高低:

若V阳V阴(正偏）,二极管导通(短路)；

若V阳Ｖ阴(反偏）,二极管截止（开路)。

*三种模型

微变等效电路法

稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管得特性正常工作时处在PN结得反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一、三极管得结构、类型及特点

１、类型--－分为NPＮ与ＰNP两种。

2、特点--－基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触

面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二、三极管得工作原理

１、三极管得三种基本组态

2、三极管内各极电流得分配

＊共发射极电流放大系数（表明三极管就就是电流控制器件

式子称为穿透电流。

3、共射电路得特性曲线

*输入特性曲线－--同二极管。

*输出特性曲线

(饱与管压降,用UＣEＳ表示

放大区－-－发射结正偏,集电结反偏。

截止区发射结反偏,集电结反偏。

4、温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。

温度升高ＩCBO、IＣEO、ＩＣ以及β均增加。

三、低频小信号等效模型（简化)

hiｅ-－－输出端交流短路时得输入电阻,

常用ｒbe表示;

hfe输出端交流短路时得正向电流传输比,

常用β表示；

四、基本放大电路组成及其原则

1、ＶT、VCC、Rb、Rｃ、Ｃ1、C2得作用。

２、组成原则能放大、不失真、能传输。

五、放大电路得图解分析法

１、直流通路与静态分析

*概念直流电流通得回路。

*画法－--电容视为开路。

＊作用确定静态工作点

＊直流负载线由VCC＝ICRC+UCE确定得直线。

*电路参数对静态工作点得影响

1）改变Rｂ:Q点将沿直流负载线上下移动。

2）改变Rｃ:Q点在IBQ所在得那条输出特性曲线上移动。

3)改变ＶCＣ：直流负载线平移,Q点发生移动。

2、交流通路与动态分析

＊概念交流电流流通得回路

*画法-－-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

＊作用-－－分析信号被放大得过程。

*交流负载线-－-连接Q点与VCC’点VCC’=ＵＣEＱ+ICＱRL’得

直线。

３、静态工作点与非线性失真

(1）截止失真

＊产生原因Q点设置过低

*失真现象--－NPＮ管削顶，PNP管削底。

＊消除方法-－－减小Rb,提高Q。

(2)饱与失真

＊产生原因Ｑ点设置过高

*失真现象-－-NPＮ管削底,PNP管削顶。

*消除方法-－－增大Rｂ、减小Rｃ、增大VCC。

4、放大器得动态范围

(１)