STMicroelectronics 系列：STM32L476 (基于 Cortex-M4)_（11）.STM32L476存储器管理.docxVIP

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STM32L476存储器管理

内部存储器结构

STM32L476微控制器具有丰富的内部存储器资源，这些存储器资源在系统设计中起着至关重要的作用。了解其内部存储器结构有助于更好地优化代码和数据的使用，提高系统的性能和效率。

Flash存储器

STM32L476集成了1MB的Flash存储器，用于存储程序代码和常量数据。Flash存储器分为多个块，每个块的大小和数量如下：

主Flash存储器：1MB，分为8个128KB的大块。

系统存储器：16KB，位于地址0x1FFF0000到0x1FFF7FFF，用于存储启动代码和一些特定的配置数据。

Flash存储器的读写操作

Flash存储器的读操作与普通SRAM相似，但写操作需要特殊处理。STM32L476提供了Flash接口库，可以方便地进行Flash的编程操作。

#includestm32l476xx.h

//初始化Flash接口

voidFlash_Init(void){

FLASH_Unlock();//解锁Flash写保护

//配置Flash控制器

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR);

}

//写入Flash存储器

voidFlash_Write(uint32_taddress,uint32_tdata){

//检查Flash是否忙

while(FLASH_GetStatus()!=FLASH_STATUS_READY){

//等待Flash空闲

}

//写入数据

FLASH_ProgramWord(address,data);

//检查Flash操作状态

if(FLASH_GetStatus()!=FLASH_STATUS_PG){

//处理错误

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR);

FLASH_Lock();//锁定Flash

while(1);//无限循环，等待处理

}

FLASH_Lock();//锁定Flash

}

//读取Flash存储器

uint32_tFlash_Read(uint32_taddress){

return*(__IOuint32_t*)address;

}

SRAM存储器

STM32L476集成了128KB的SRAM存储器，用于存储运行时的变量和数据。SRAM分为多个区域，每个区域的大小和用途如下：

主SRAM：128KB，位于地址0到0x2001FFFF。

备份SRAM：4KB，位于地址0到0x10000FFF，可以在低功耗模式下保持数据。

SRAM存储器的读写操作

SRAM的读写操作非常简单，可以直接通过指针进行访问。

#includestm32l476xx.h

//写入SRAM存储器

voidSRAM_Write(uint32_taddress,uint32_tdata){

*(__IOuint32_t*)address=data;

}

//读取SRAM存储器

uint32_tSRAM_Read(uint32_taddress){

return*(__IOuint32_t*)address;

}

外部存储器接口(EMI)

STM32L476还支持外部存储器接口(ExternalMemoryInterface,EMI)，可以通过此接口扩展存储器容量。EMI支持多种外部存储器类型，包括SRAM、PSRAM、NORFlash和NANDFlash。

外部SRAM接口

外部SRAM接口可以通过FSMC(FlexibleStaticMemoryController)进行配置。以下是一个简单的配置示例：

#includestm32l476xx.h

//初始化FSMC外部SRAM

voidFSMC_SRAM_Init(void){

FSMC_NORSRAMInitTypeDefFSM