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大一电子基础考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力（）。

A.比导体强

B.比绝缘体强

C.介于导体和绝缘体之间

答案：C

2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性

B.单向导电性

C.稳压特性

答案：B

3.三极管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。

A.正偏，反偏

B.反偏，正偏

C.正偏，正偏

答案：A

4.以下哪种电路能实现信号的放大（）。

A.共射极放大电路

B.共集电极放大电路

C.以上两种都可以

答案：C

5.在PN结中，P区的多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.离子

答案：B

6.集成运算放大器的中间级主要作用是（）。

A.提高电压放大倍数

B.提高输入电阻

C.减小输出电阻

答案：A

7.对于N型半导体，以下说法正确的是（）。

A.多数载流子是空穴

B.多数载流子是电子

C.只有电子导电

答案：B

8.当晶体管的集电极电流Ic超过最大允许值时，会导致（）。

A.晶体管损坏

B.晶体管性能变好

C.没有影响

答案：A

9.下列哪个不是电容的单位（）。

A.法拉

B.微法

C.亨利

答案：C

10.以下哪种元件属于有源元件（）。

A.电阻

B.电容

C.三极管

答案：C

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.以下属于半导体材料的有（）。

A.硅

B.锗

C.铜

D.铝

答案：AB

2.三极管的三个电极分别是（）。

A.基极

B.发射极

C.集电极

D.源极

答案：ABC

3.放大电路的性能指标有（）。

A.电压放大倍数

B.输入电阻

C.输出电阻

D.通频带

答案：ABCD

4.以下哪些是线性元件（）。

A.电阻

B.电容

C.电感

D.二极管

答案：ABC

5.集成运算放大器的组成部分包括（）。

A.输入级

B.中间级

C.输出级

D.偏置电路

答案：ABCD

6.在电子电路中，常用的电源有（）。

A.直流电源

B.交流电源

C.电池

D.信号发生器

答案：ABC

7.影响PN结反向电流大小的因素有（）。

A.温度

B.掺杂浓度

C.外加电压

D.光照

答案：ABD

8.以下哪些是电子电路中的基本逻辑门（）。

A.与门

B.或门

C.非门

D.异或门

答案：ABC

9.电容的特性有（）。

A.隔直流

B.通交流

C.储存电场能量

D.消耗电能

答案：ABC

10.以下关于电感的说法正确的是（）。

A.通直流，阻交流

B.储存磁场能量

C.单位是亨利

D.电感量与匝数无关

答案：ABC

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电性可以通过掺杂来改变。（）

答案：对

2.二极管加正向电压时一定导通。（）

答案：错

3.三极管在饱和区时，集电极电流不再随基极电流增大而增大。（）

答案：对

4.所有的放大电路都需要有直流电源。（）

答案：对

5.电容在直流电路中相当于开路。（）

答案：对

6.电感对交流电流有阻碍作用，其阻碍作用与频率无关。（）

答案：错

7.集成运算放大器是一种高增益的直接耦合放大器。（）

答案：对

8.在PN结形成过程中，P区的空穴向N区扩散。（）

答案：对

9.电阻是耗能元件，其消耗的电能转化为热能。（）

答案：对

10.共集电极放大电路的电压放大倍数近似为1。（）

答案：对

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述PN结的形成过程。

答案：P型半导体中多数载流子是空穴，N型半导体中多数载流子是电子。当P型和N型半导体结合时，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，在交界面附近形成空间电荷区，即PN结。

2.说明三极管的放大原理。

答案：当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，基极电流微小变化会引起集电极电流较大变化，通过集电极负载电阻将电流变化转化为电压变化，从而实现信号放大。

3.简述电容的充电和放电过程。

答案：充电时，电源对电容充电，电容两极板上电荷逐渐增多，电压升高；放电时，电容两极板上电荷通过电路释放，电压降低。

4.说出集成运算放大器理想化的条件。

答案：开环电压放大倍数无穷大、输入电阻无穷大、输出电阻为零、共模抑制比无穷大。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论电阻在电子电路中的作用。

答案：电阻可用于限流、分压、将电能转化为热能等，在电路中调整电流和电压大小，保证电路正常工作。

2.分析在放大电路中输入电阻和输出电阻的意义。

答案：输入电阻影响信号源的负载程度，越大对信号源影响越小；