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多探针广域表面形貌测量方法及探针制备技术研究.docx

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    多探针广域表面形貌测量方法及探针制备技术研究

    一、绪论

    1.1研究背景与意义

    随着半导体技术的飞速发展，集成电路的特征尺寸不断缩小，器件结构日益复杂，对半导体材料和器件的表面形貌测量提出了更高的要求。在半导体制造过程中，从硅片的制备、光刻、刻蚀到薄膜沉积等各个环节，表面形貌的精确控制和测量都直接影响着器件的性能、可靠性和成品率。例如，在光刻工艺中，光刻胶的均匀涂覆和图案转移精度依赖于衬底表面的平整度和粗糙度；在刻蚀工艺中，精确控制刻蚀深度和侧壁形貌对于实现高精度的器件结构至关重要。

    传统的表面形貌测量方法，如原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）等，虽然在高分辨率测量方面表现出色，

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