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含缺陷极紫外掩模反射场模拟及缺陷影响减缓的研究.docxVIP

含缺陷极紫外掩模反射场模拟及缺陷影响减缓的研究.docx

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    含缺陷极紫外掩模反射场模拟及缺陷影响减缓的研究

    一、引言

    在微纳制造技术领域，极紫外（EUV）光刻技术已成为主流的半导体制造工艺之一。而极紫外掩模作为EUV光刻技术的核心部件，其质量直接决定了制造出的芯片性能和良率。然而，在极紫外掩模的制造过程中，由于各种原因，常常会出现各种缺陷，这些缺陷会对掩模的反射场产生影响，进而影响芯片的制造质量。因此，对含缺陷极紫外掩模的反射场进行模拟以及缺陷影响减缓的研究显得尤为重要。

    二、含缺陷极紫外掩模的反射场模拟

    1.模拟方法与模型建立

    针对含缺陷的极紫外掩模，我们采用了一种基于有限元方法的电磁场模拟技术。首先，建立了极紫外掩模的物理模型，包括掩模的几何结构

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