外延技术讲座.ppt

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2).为什么要控制shift-产生原因是外延的反应产物HCL,择优腐蚀埋层边缘,使埋层图形产生位移。-危害性:使光刻无法对准,从而影响电学特性。-关键:要知道漂移量,同时要控制各炉子相同。3).Shift的测定外延后按原耒的光刻套准,扩散后解理看图形的漂移并测试漂移的平均值。光刻时套刻版子加以修正值,然后看结果是否达到予定值。用滚槽方法直接测定。外延图形漂移的测定光刻版加修正后套刻正确用滚槽法测shift

上下片因温度不均匀造成shift不同,引起电学参数不同。上片漂移小纠偏过头下片纠偏较正确4).图形畸变Distortion

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