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碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)的国内外研究文献综述
1国外研究动态
碳化硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,SBD),最早是在1975年,由?Glover.G.H报道的6H-SiCSBD,这个二极管的击穿电压ET≈200V。1985年,Yoshida基于3C-SiC制备出了击穿电压ET=8V的SBD,根据电容测量,得到其势垒高度?n=1.15±0.15eV,根据光响应测量,得到其势垒高度?n=1.11±0.03eVREF_Ref17081\w\h[6]。由Bhatnagar报道6H-SiCSBD,具有?n=400V的击穿
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