石墨烯衬底上Te超薄膜外延生长及电子结构调控研究.docx

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2025-07-18 发布于上海
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石墨烯衬底上Te超薄膜外延生长及电子结构调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，新型材料的研究与开发成为推动各领域进步的关键因素之一。在众多新型材料中，二维材料以其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了材料科学领域的研究热点。石墨烯作为一种典型的二维材料，自2004年被成功剥离以来，因其在电学、热学和机械性能等方面表现出的卓越特性，在电子器件、能源存储和生物医学等众多领域展现出了广阔的应用前景。在电子器件领域，石墨烯的高载流子迁移率和出色的电学性能使其有望用于制造高性能的晶体管、集成电路等，为实现电子器件的小型化和高速化提供了可能；在能源存储领域，其良好的导电性和大