基于电热应力的GaN功率器件动态导通电阻退化研究.docxVIP

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2025-07-09 发布于中国
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基于电热应力的GaN功率器件动态导通电阻退化研究

一、引言

随着电力电子技术的飞速发展，氮化镓（GaN）功率器件因其卓越的电学性能和热稳定性，在高压、高频、大功率的应用场景中得到了广泛的应用。然而，随着器件工作时间的延长，其性能会逐渐退化，尤其是动态导通电阻的退化问题，对器件的长期稳定运行构成了严重威胁。本文旨在研究基于电热应力的GaN功率器件动态导通电阻退化现象，分析其退化机理，为提高GaN功率器件的可靠性提供理论依据。

二、GaN功率器件概述

GaN功率器件以其高电子迁移率、高击穿电压、低导通电阻等优点，在电力电子领域中具有广阔的应用前景。然而，在实际应用中，由于电热应力的作用，GaN功率