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摘要
偏振光学作为一种特殊的光学表征手段,除了具有非接触、灵敏度高等优点,
还能够用来研究材料的物理形态、表面特性和界面行为,进而深入理解其对称性
破缺和自旋输运性质。其中,线偏振光通常用来表征材料由于对称性降低导致的
光学各项异性。本论文基于偏振光电流探测手段研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体低维结构和
层状外尔半金属中的偏振光电流效应,进而获取其界面和对称性信息。本论文将
偏振光学与微纳加工技术相结合,通过研究材料或器件的偏振光学响应以及输运
调控,建立各向异性输运及边界输运物理模型,为以半导体低维材料为基
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