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2024年8月材料学概论测试题与答案

一、单选题（共30题，每题1分，共30分）

1.试题：已知镍(Ni)的核外电子排布式是1s22s22p63s23p63d84s2，镍离子(Ni2+)的核外电子排布式是？()

选项(A)1s22s22p63s23p63d84s2

选项(B)1s22s22p63s23p63d74s1

选项(C)1s22s22p63s23p63d8

选项(D)1s22s22p63s23p63d64s2

参考答案：(C)

说明：镍原子失去4s轨道的2个电子形成镍离子(Ni2+)，其核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d8。

2.试题：物理气相沉积(PVD)分好几类，下列技术哪一个不属于PVD()

选项(A)高频离子镀膜

选项(B)真空蒸镀

选项(C)射频溅射

选项(D)原子层沉积

参考答案：(D)

说明：物理气相沉积（PVD）主要包括真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀膜等。真空蒸镀是将材料加热蒸发后沉积在基底上；射频溅射是利用射频电源产生等离子体，使靶材原子溅射出来沉积在基底；高频离子镀膜是通过高频电场使气体电离产生离子，轰击靶材并沉积在基底。而原子层沉积（ALD）是一种特殊的化学气相沉积技术，不属于物理气相沉积。

3.试题：以下半导体元素中能隙最大的是？()

选项(A)锗(Ge)

选项(B)锡(Sn)

选项(C)硅(Si)

选项(D)碳(C)

参考答案：(D)

说明：碳（C）是典型的半导体材料，其能隙相对较大。硅（Si）、锗（Ge）、锡（Sn）也都是半导体元素，但它们的能隙相对碳来说较小。随着原子序数的增加，同一主族元素形成的半导体能隙有逐渐减小的趋势。所以在这几种元素中碳的能隙最大。

4.试题：以下不是原子晶体的特点的是？()

选项(A)配位数低

选项(B)主要以分子键方式结合

选项(C)导电性差

选项(D)强度和硬度均较高

参考答案：(B)

说明：原子晶体是相邻原子间以共价键相结合而形成空间网状结构的晶体。原子晶体中不存在分子键，而是以共价键结合。原子晶体具有强度和硬度均较高、配位数低、导电性差等特点。

5.试题：哪种材料不是半导体()

选项(A)硅单晶

选项(B)氯化钠

选项(C)砷化镓

选项(D)氧化锌

参考答案：(B)

说明：氯化钠是典型的离子晶体，不是半导体材料。硅单晶、砷化镓、氧化锌都属于半导体材料。

6.试题：纳米粒子大小的测量常用的仪器是微分型电迁移率分析仪，其英文名称是()

选项(A)differentialelectromobility

选项(B)mobilityanalysismeter

选项(C)electromobilityanalyger

选项(D)differentialmobilityanalyger

参考答案：(D)

说明：微分型电迁移率分析仪英文名称是DifferentialMobilityAnalyzer，选项C正确。

7.试题：石英玻璃的主要成分是()

选项(A)氧化铝

选项(B)二氧化碳

选项(C)氯化钾

选项(D)二氧化硅

参考答案：(D)

说明：石英玻璃的主要成分是二氧化硅，它具有良好的光学性能、耐高温等特性。二氧化碳是气态化合物，不是石英玻璃成分；氧化铝不是石英玻璃主要成分；氯化钾也不是石英玻璃的成分。

8.试题：调质处理后工件具有较高的范性和韧性，多用于齿轮、各种轴和经常受冲击载荷的结构件。何为调质处理？()

选项(A)低温回火加高温回火的双重处理

选项(B)淬火加高温回火的双重处理

选项(C)淬火加低温回火的双重处理

选项(D)淬火加中温回火的双重处理

参考答案：(B)

说明：调质处理是淬火加高温回火的双重处理。淬火能使钢获得高硬度和高强度，但韧性较差，通过高温回火可以消除淬火应力，降低钢的脆性，使钢具有良好的综合力学性能，即较高的强度、硬度和良好的韧性等，多用于齿轮、各种轴和经常受冲击载荷的结构件等。

9.试题：以下属于III-IV族化合物半导体的是？()

选项(A)MgS

选项(B)ZnO

选项(C)GaN

选项(D)HgS

参考答案：(C)

说明：III-IV族化合物半导体是由元素周期表中III族元素和IV族元素组成的化合物半导体。常见的III-IV族化合物半导体有GaAs、GaP、GaN、InP、InAs等。选项D中的GaN属于III-IV族化合物半导体，而选项A中的ZnO是II-VI族化合物半导体，选项B中的HgS是II-VI族化合物半导体，选项C中的MgS是II-VI族化合物半导体。

10.试题：在热处理工艺中，将钢或合金加热至适当温度，保温一段时间以获得不同要求的高温相，然后快速冷却，获得远离平衡状态组织的工艺，是哪一种热处理方法？()

选项(A)回火

选项(B)淬火

选项(C)退火