核磁共振波谱分析法课件.pptVIP

位移的表示方法與裸露的氫核相比，TMS的化學位移最大，但規定?TMS=0，其他種類氫核的位移為負值，負號不加。?=[（?樣-?TMS)/?TMS]106(ppm)?小，遮罩強，共振需要的磁場強度大，在高場出現，圖右側；?大，遮罩弱，共振需要的磁場強度小，在低場出現，圖左側；二、影響化學位移的因素

factorsinfluencedchemicalshift1．電負性--去遮罩效應與質子相連元素的電負性越強，吸電子作用越強，價電子偏離質子，遮罩作用減弱，信號峰在低場出現。-CH3，?=1.6~2.0，高場；-CH2I，?=3.0~3.5,-O-H，-C-H，?大?小低場高場電負性對化學位移的影響碳雜化軌道電負性：SPSP2SP3影響化學位移的因素--磁各向異性效應價電子產生誘導磁場，質子位於其磁力線上，與外磁場方向一致，去遮罩。影響化學位移的因素3價電子產生誘導磁場，質子位於其磁力線上，與外磁場方向一致，去遮罩。影響化學位移的因素4苯環上的6個?電子產生較強的誘導磁場，質子位於其磁力線上，與外磁場方向一致，去遮罩。2.氫鍵效應形成氫鍵後1H核遮罩作用減少，氫鍵屬於去遮罩效應。3.空間效應空間效應?Ha=3.92ppm?Hb=3.55ppm?Hc=0.88ppm?Ha=4.68ppm?Hb=2.40ppm?Hc=1.10ppm去遮罩效應4.各類有機化合物的化學位移①飽和烴-CH3:?CH3=0.79?1.10ppm-CH2:?CH2=0.98?1.54ppm-CH:?CH=?CH3+(0.5?0.6)ppm?H=3.2~4.0ppm?H=2.2~3.2ppm?H=1.8ppm?H=2.1ppm?H=2~3ppm各類有機化合物的化學位移②烯烴端烯質子：?H=4.8~5.0ppm內烯質子：?H=5.1~5.7ppm與烯基，芳基共軛：?H=4~7ppm③芳香烴芳烴質子：?H=6.5~8.0ppm供電子基團取代-OR，-NR2時：?H=6.5~7.0ppm吸電子基團取代-COCH3，-CN，-NO2時：?H=7.2~8.0ppm各類有機化合物的化學位移-COOH：?H=10~13ppm-OH：（醇）?H=1.0~6.0ppm（酚）?H=4~12ppm-NH2：（脂肪）?H=0.4~3.5ppm（芳香）?H=2.9~4.8ppm（醯胺）?H=9.0~10.2ppm-CHO：?H=9~10ppm常見結構單元化學位移範圍第十一章

核磁共振波譜分析法一、自旋偶合與自旋裂分spincouplingandspinsplitting二、峰裂分數與峰面積numberofpearsplittingandpearareas三、磁等同與磁不等同magneticallyequivalentandnonequivalent第三節

自旋偶合與自旋裂分nuclearmagneticresonancespectroscopy;NMRspincouplingandspinsplitting一、自旋偶合與自旋裂分

spincouplingandspinsplitting每類氫核不總表現為單峰，有時多重峰。原因：相鄰兩個氫核之間的自旋偶合（自旋干擾）；峰的裂分峰的裂分原因:自旋偶合相鄰兩個氫核之間的自旋偶合（自旋干擾）；多重峰的峰間距：偶合常數（J），用來衡量偶合作用的大小。自旋偶合二、峰裂分數與峰面積

numberofpearsplittingandpearareas峰裂分數：n+1規律；相鄰碳原子上的質子數；係數符合二項式的展開式係數；峰面積與同類質子數成正比，僅能確定各類質子之間的相對比例。峰裂分數峰裂分數1:11:3:3:11:11:2:1峰裂分數1H核與n個不等價1H核相鄰時，裂分峰數：（n+1)(n′+1)……個；(nb+1)(nc+1)(nd+1)=2×2×2=8Ha裂分為8重峰1:3:3:11:2:11:11:6:1