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学院姓名学号任课数师______________选课号/座位号
密封线以内答题无效
电子科技大学二零九二零一零学年第一学期期末考试
微电子器件课程考试题上卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期2丝(年2月W
H
课程成绩构成:寻常10分,期中10分,试验10分,期末70分
复核
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-1二四五六七八九十合计人签
名
得分
签名
得分
方一~填空题共(30分,每空1分)
1、PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为N和N,本征载流子浓度为〃.,则PN结内建电
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〃NN
V—InAD
势卜的表达式切————
状an20
2、对于单边突变结P+N结,耗尽区主要分布在N区,该区浓度越低,则耗尽区宽度值越大,
内建电场的最大值越小;随着正向偏压的增加,耗尽区宽度值隆低,耗尽区内的电场逢低,
集中电流提高;为了提高P+N结二极管的雪崩击穿电压,应降低N区的浓度,这将提高反向
饱和电流/。
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【解析】
第页共7页
学院姓名学号任课数师______________选课号/座位号
密封线以内答题无效
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