AGMsemi-AGM407MNA VER2.66 (1)宏盛微半导体94.pdf

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AGM407MNA

●GeneralDescription

TheAGM407MNAcombinesadvancedtrenchMOSFETProductSummary

technologywithalowresistancepackageprovide

extremelylowRDS(ON).DSSSO

BVRDNID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotection40V5.6mΩ50A

applications.

PDFN5*6PinConfiguration

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

akaga

eMrkingandOrderingInformatoni

akingzedthQuantity

eiceMreviceReelSiTapewi

DvDDevicePaa

ckge

G407MNANA

AMAGM407MPDFN5*6330mm12mm3000

Table1.Absu

olteMaximumRatings(TA25℃)

SymbolParameterValueUnit

VDSorcetage(VGS0

inuVolV）

Dra-S40V

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