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化学机械抛光中流体压力与摩擦特性的多维度解析与协同机制研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代制造业中,尤其是半导体制造、光学元件加工和金属表面处理等领域,对材料表面的精度和质量要求达到了前所未有的高度。化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)技术应运而生,成为实现高精度、高平坦度表面加工的关键工艺。自20世纪60年代被提出以来,CMP技术不断发展,如今已广泛应用于微电子、光电子、数据存储等众多领域。
在半导体制造领域,随着集成电路技术的飞速发展,芯片的集成度不断提高,特征尺寸持续缩小。从早期的微米级工艺逐步演进到如今的纳米级工艺,如
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