存储行业报告：AI需求和制程升级，行业加速步入新一轮增长周期.pptx

AI需求和制程升级，行业加速步入新一轮增

长周期

——存储行业报告

报告要点：

1）二季度DRAM整体价格上涨超预期。价格的上涨主要来自供应链供需结构的持续优化。下游AI需求带动产业主要原厂技术升级加速和在利基型存储芯片上的退出。从趋势上看，三季度价格仍有望保持一定的上涨空间。

2）从供应端角度，我们认为25年是DRAM行业供应结构变化的重要节点。这体现在原厂加速退出DDR4产品供应，下游AI需求刺激带动DDR5/LPDDR5/HBM产品比重加速提升。由英伟达联合三大原厂推动的基于LPDDR5x的SOCAMM标准将加速行业的技术路线的革新。

3）AI的端侧应用有望加速DRAM行业增长。Dram存储芯片成长逻辑逐步从价格驱动转向需求驱动。

4）根据25-27年整体供需模型，Dram存储芯片的供需结构将持续改善。

5）DRAM向3D化发展带动Hybridbonding的技术发展。

建议关注

存储芯片：兆易创新

内存接口芯片：澜起科技

存储模组：江波龙、佰维存储

测试设备：精智达

风险提示

上行风险：DRAM颗粒价格加速上行；下游需求出现明显回暖；国产替代进程提速

下行风险：宏观经济下行；DRAM价格回暖不及预期；国产厂商产能释放不及预期；其他系统性风险

《国元证券行业研究-电子行业周报：苹果扩大印度工厂

iPhone出口，首款折叠机预计明年发售》2025.06.16

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分析师彭琦

执业证书编号S0020523120001

电话021邮箱pengqi@

6/209/1912/193/206/19 半导体与半导体生产设备沪深300

资料来源：Wind

半导体与半导体生产设

备行业研究报告

请务必阅读正文之后的免责条款部分1/31

行业研究|信息技术|半导体与半导体生产设备证券研究报告

报告作者

过去一年市场行情

相关研究报告

推荐|维持

54%

37%

19%

1%

-17%

2025年06月

21

日

公司代码

公司名称

投资评级

昨收盘

（元）

总市值

（百万元）

EPS

PE

2024A

2025E

2026E

2024A

2025E

2026E

688008.SH

澜起科技

买入

81.3

93071.37

1.25

1.93

2.55

65.04

42.17

31.83

603986.SH

兆易创新

增持

123.21

81818.73

1.66

2.26

2.96

74.22

54.56

41.68

688627.SH

精智达

-

74.85

7036.78

0.86

2.07

3.01

87.42

36.16

24.90

301308.SZ

江波龙

-

79.45

33301.09

1.20

1.64

2.50

66.21

48.31

31.77

688525.SH

佰维存储

-

63.3

29198.11

0.37

1.06

1.55

171.08

59.89

40.83

资料来源：Wind，国元证券研究所

注：股价取自2025年6月19日收盘价，注：精智达、江波龙和佰维存储均采用Wind一致预期。

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附表：重点公司盈利预测

目录

1.AI需求和原厂产能结构调整带动DRAM价格上涨...............................................6

1.1二季度DRAM整体的价格上涨超预期........................................................6

1.2供应端：DDR4产能加速退出，服务器需求带动技术节点升级..................7

1.3需求端：AI的端侧应用有望加速DRAM行业增长...................................12

1.425-27年供需模型分析：未来几年供需结构持续改善................