微电子制造技术（英文）_哈尔滨工业大学（威海）中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年.docxVIP

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2025-06-25 发布于浙江
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微电子制造技术（英文）_哈尔滨工业大学（威海）中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年.docx

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微电子制造技术（英文）_哈尔滨工业大学（威海）中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年

MBEisanadvancedepitaxialtechnologywiththefollowingadvantages:

答案:itcangrowextremelythinepitaxiallayers._MBEepitaxiallayershaveveryhighqualityandpurity._thereisalmostnoimpurityredistributioninMBElayers.

Forheteroepitaxy,theepi-layerandthesubstratemustbecompatiblewitheachother

答案:chemically._thermal-mechanically._inthesensethattheinterfacelatticemismatchissmallenough.

Whichofthefollowingstatementsistrueaboutionimplantation?

答案:Twojunctionsmaybeformedwhenadeepimplantationisconducted._Whentheinitialenergyofionsisfixed,lighterdopantswillproducegreatertransversescattering.

Afterdoping,thewafersneedtobeannealed.Whataretheadvantagesofrapidthermalannealingcomparedwithannealingmadeinordinaryfurnaces?

答案:Lesssecondarydefectswillbeformed._Dopantredistributionissuppressed.

ThenitridelayerdepositedduringtheSTIprocessisusedas

答案:thestoplayerforCMP._abarrierlayertopreventcontaminationoftheactiveregionsduringoxidedeposition.

WhenCuisusedtofabricateinterconnectwires,

答案:theDamasceneprocesscanbeusedforpatterningthecopperlayer._adiffusionbarrierlayermustbeusedtopreventdiffusionofCuintoactiveareas._acladdinglayermustbeusedtoresistcorrosion.

ACMOS

答案:consumesnopowerintheOFFstate._containsbothp-andn-channelMOSFETsasbuildingblocks._conductsthroughtheNMOSFETatpositivegatevoltages.

AMOSFETcontains

答案:abodywithitsdopingtypeoppositetothatofthesourceregion._agateelectrodeseparatedbyanoxidefromthetransistorschannel._asourceregionandadrainregion,bothofwhichareheavilydoped.

Ionmilling

答案:ishighlyanisotropic._hassimilaretchrateinvariousmaterials.

Apositivephotoresistusuallycontains

答案:resin_organicsolvent_PAC

InordertoachieveanepitaxialgrowthbasedonCVD,

答案:Themainreactioninvolvedmusthav