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IEG21364芯片数据手册
C三相半桥驱动芯片
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2022©屹晶微电子有限公司版权所有REV1.0
屹晶微电子有限公司EG21364芯片数据手册V1.0
三相半桥驱动芯片
版本变更记录
版本号日期描述
V1.02022年10月20日EG21364数据手册初稿
2022©屹晶微电子有限公司版权所有
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屹晶微电子有限公司EG21364芯片数据手册V1.0
三相半桥驱动芯片
目录
1.特性1
2.描述1
3.应用领域1
4.引脚2
4.1引脚定义2
4.2引脚描述2
5.结构框图3
6.典型应用电路4
7.电气特性4
7.1极限参数4
7.2典型参数5
7.3功能描述7
7.4逻辑时序图7
7.5自举电路10
8.封装尺寸11
8.1SOP28封装尺寸11
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II
屹晶微电子有限公司EG21364芯片数据手册V1.0
三相半桥驱动芯片
EG21364芯片数据手册V1.0
1.特性
高端悬浮自举电源设计，耐压可达650V
适应5V或者3.3V输入电压
输出电流能力+0.2A/-0.35A
欠压保护
使能控制
输入输出同相
外部设置清理时间
高低端通道匹配
过流保护关断六通道输出
集成三个独立的半桥驱动器
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
封装形式：SOP28L
无铅无卤符合ROHS标准
2.描述
EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含
三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防
止噪声干扰。
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