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半导体物理与器件_南京邮电大学中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年.docx

半导体物理与器件_南京邮电大学中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年.docx

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    半导体物理与器件_南京邮电大学中国大学mooc章节课后测试答案期末考试题库2024年

    如图所示，p型GaN层的加入是为了_________阈值电压。（填“提高”或“降低”）【图片】

    答案:提高

    由于声子散射的影响，随着温度升高，HEMT器件中电子迁移率会降低。

    答案:正确

    如图所示，左边为未掺杂GaAs，右边为掺杂AlGaAs。【图片】

    答案:错误

    如图所示，图a中栅压等于0，图b中栅压______0。（填“大于”或“小于”）【图片】

    答案:小于

    在掺杂AlGaAs和未掺杂GaAs中间加入一个未掺杂的AlGaAs薄层，是为了更多的分离电子与电离了的施主杂质，从而进一步降低杂质散射效应。

    答案:

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