模拟电子技术基础课件 第三章 半导体二极管及其基本电路.pptxVIP

;3二极管及其基本电路;3.1半导体的基本知识;3.1.1半导体材料;3.1.2半导体的共价键结构;3.1.3本征半导体;3.1.2半导体的共价键结构;3.1.4杂质半导体;3.1.4杂质半导体;3.1.4杂质半导体;3.2PN结的形成及特性;3.2.1PN结的形成;在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;3.2.1PN结的形成;3.2.2PN结的单向导电性;3.2.2PN结的单向导电性;3.2.2PN结的单向导电性;3.2.2PN结的单向导电性;3.2.2PN结的单向导电性;3.2.3PN结的反向击穿;3.2.4PN结的电容效应;3.2.4PN结的电容效应;3.3半导体二极管;3.3.1二极管的结构;3.3.1二极管的结构;3.3.1二极管的结构;3.3.2二极管的I-V特性;温度对二极管特性曲线的影响;3.3.3二极管的主要参数;二极管参数;二极管的模型;二极管的模型;例3.3.1（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。求电路的ID和VD的值;例3.3.1（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。求电路的ID和VD的值;二极管的模型;二极管的模型;二极管的模型;符号中大小写的含义：;例3.3.2;解：由电路的KVL方程，可得;3.4二极管应用电路;（1）整流电路（恒压降模型）;Multisim仿真;电路如图，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。用恒压降模型求解，当vI=6sin?tV时，绘出相应的输出电压vO的波形。;Multisim仿真;电路如图所示，求AO的电压值;电路如图所示，用恒压降模型，求电路中每个二极管静态工作点的值。;3.5特殊二极管;3.5.1齐纳二极管;3.5.1齐纳二极管;3.5.1齐纳二极管;稳压管稳压电路的Multisim仿真;3.5.3变容二极管;3.5.2发光二极管;3.5.3变容二极管;3.5.4肖特基二极管