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二硫化钨缺陷与复合结构调控对电化学性能的影响研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球能源需求持续增长和环境问题日益严峻的背景下，开发高效、可持续的能源存储与转换技术已成为科学界和工业界的研究重点。在众多新型材料中，二维层状材料二硫化钨（WS_2）因其独特的物理化学性质，在能源存储与转换领域展现出了巨大的应用潜力，引起了广泛的研究关注。

二硫化钨具有类似于石墨烯的层状结构，每一层由钨原子层夹在两层硫原子层之间，通过共价键结合形成稳定的三明治结构，层与层之间则通过较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了WS_2许多优异的性能。在电学方面，体相WS_2是间接带隙半导体，而单层WS_2则转