《碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT）》.pdfVIP

ICS29.045

CCSQ44

TCIET

团体标准

T/CIET1279—2025

碳化硅单晶生长技术规范物理气相传输

法（PVT）

Technicalspecificationforsiliconcarbidesinglecrystalgrowth—Physicalvapor

transportmethod(PVT)

2025-05-14发布2025-05-14实施

中国国际经济技术合作促进会发布

T/CIET1279—2025

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4工艺原理2

5设备要求2

6工艺过程3

7质量控制4

8安全与环保5

I

T/CIET1279—2025

碳化硅单晶生长技术规范物理气相传输法（PVT）

1范围

本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控

制、安全与环保等内容。

本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明

确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264—2024半导体材料术语

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

碳化硅物理气相传输法SiCphysicalvaportransport；PVT

在2300℃高温以上，通过SiC原料在高温下的升华，在SiC籽晶上大面积生长高质量的碳化硅晶锭

的方法。

[来源GB/T14264—2024，4.11]

籽晶seedcrystal

具有与所生长目标晶体相同晶相的小单晶体。

注：用不同晶向的籽晶做晶种，将会获得不同晶向的单晶，在单晶生长中决定着最终晶体的晶向。

[来源GB/T14264—2024，3.242]

温度梯度temperaturegradient

在生长腔内，单位长度上的温度变化值，通常用℃/cm表示，是控制气相物质传输方向和速率的重

要参数。

生长速率growthrate

单位时间内碳化硅单晶在特定方向上生长的厚度，常用单位为mm/h。

多型polymorph

包括单质或化合物的物质，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结构单位层之间的堆垛顺序或重

复方式不同时，形成的若干种不同结构晶体的现象。

注：最常见的多型式根据拉姆斯代尔的建议命名的，如6H给出了一个周期性叠加序列的层数（2，3，4…）和生成的

晶体的对称性（H为六角形，R为菱形），如SiC多型由6H、4H、15R。

[来源GB/T14264—2024，3.91]

微管micropipe；MP