T_ZSA 38-2020_SiC晶片的残余应力检测方法.pdf

T_ZSA 38-2020_SiC晶片的残余应力检测方法.pdf

  1. 1、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

ICS29.045

H80/84

团体标准

T/ZSA38-2020

SiC晶片的残余应力检测方法

ExperimentalmethodforresidualstressinSiCwafers

2020-12-17发布2020-12-18实施

中关村标准化协会发布

T/ZSA38-2020

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测试原理2

5测试仪器3

6干扰因素4

7测试环境4

8试样4

9测试程序4

10计算5

11精密度5

12测试报告6

附录A(资料性附录)材料参数的C的标定7

I

T/ZSA38-2020

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规

则》的规定起草。

请注意

文档评论(0)

Donna + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档