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第三章
微波晶体管放大器
1
发射模块
PA
IF
T
AGC×5×4
PLL1
fs
频率源
PLOPLL2双
×5×2工fT
LNA
二中频
（IFS）一中频
接收模块
2
主要内容
•微波双极结型晶体管（BJT）
•微波场效应晶体管（FET）
•微波晶体管放大器的特性
•小信号微波晶体管放大器的设计
•微波晶体管功率放大器特性
•用小信号S参数设计微波晶体管功率放大器
3
§3.1引言
•结型晶体管：双极结型晶体管和异质结双极型晶体
管；
结构形式：NPN或PNP型。
制备材料：硅、硅-锗、砷化镓、铟磷、石墨烯（高
电子迁移率、良导热性、低噪声）。
发展历史：
1947.12.16:威廉·邵克
雷（WilliamShockley）、
约翰·巴顿（John
Bardeen）沃特·布拉顿
（WalterBrattain）在贝
尔实验室制造出第一个点
接触晶体管。
4
§3.1引言
•20世纪50年代，锗材料，性能/可靠性受限，基本没有实用
器件进入微波领域。
•20世纪60年代初，硅材料，平面工艺的出现，工作频率进入
微波领域。
•硅结型晶体管用作放大器，频率范围可达2~10GHz，而用在
振荡器中时频率高达20GHz。
•使用SiGe的结型晶体管可用于20GHz或更高工作频率。
•异质结双极型晶体管（HBT）使用GaAs或InP材料，能在超过
100GHz的频率工作。
f=8MHz
T
5
§3.1引言
场效应晶体管（FET）可有多种类型：
金属半导体场效应晶体管（MESFET）
高电子迁移率晶体管（HEMT）
赝晶型高电子迁移率晶体管（PHEMT）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
金属绝缘物半导体场效应晶体管（MISFET）
双层石墨烯
场效应管
6
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