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摘要
随着现代信息化建设的快速发展，集成电路产业已经成为国民经济和社会持续健康
发展的重要支撑。在这个过程中，新材料、图案化技术和工艺的创新应用使得半导体加
工技术不断突破，复杂3D器件结构的特征尺寸不断缩小。同时，也给集成电路检测带
来了更大的挑战。光刻在IC制造中至关重要，光刻质量直接影响产品的成品率。而套
刻误差作为提高光刻质量的关键因素之一，其精度要求随着IC制造工艺不断突破、先
进节点尺寸不断缩小也愈发严格。套刻误差是一种定量描述电路层及之间的对准精度的
关键参数，一般通过
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