半极性(10-13)AlN高温HVPE生长的关键技术与性能优化研究.docx

半极性(10-13)AlN高温HVPE生长的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景

在现代科技迅猛发展的浪潮中，半导体材料作为关键基础，在光电子、电力电子、通信等众多领域发挥着举足轻重的作用，成为推动科技进步和产业升级的核心力量。其中，氮化铝（AlN）凭借其卓越的物理性质，如高达6.2eV的宽禁带宽度、出色的击穿场强、良好的热导率以及优异的压电性能，在深紫外光电子器件、高频大功率微波器件等前沿领域展现出巨大的应用潜力，吸引了全球科研人员和产业界的广泛关注。

在光电子领域，AlN材料是制作深紫外发光二极管（DUV-LED）、紫外探测器和紫外激光器等器件的理想选择。随着人们