探寻GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应及精准表征技术.docxVIP

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2025-04-19 发布于上海
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探寻GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应及精准表征技术

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，随着电子技术的飞速发展，对高功率、高频率以及高性能电子器件的需求日益增长。GaN基高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）凭借其卓越的物理性能，如高电子迁移率、高饱和漂移速度、较大的禁带宽度和良好的热导率等，成为了该领域的研究热点和关键器件之一。这些优异特性使得GaNHEMT在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在通信领域，随着5G乃至未来6G技术的发展，对射频功率放大器的性能提出了更高要求。GaNHEMT能够实现更高的工作频率和更大的输出功率，有效提升通信信号的传输距离和