宏盛微半导体TP83xx.pdf

南京拓品微电子有限公司

NanJingTopPowerASICCorp.

南京拓品微电子有限公司

DATASHEET

（TP83升压系列）

1REV_1.0

南京拓品微电子有限公司

NanJingTopPowerASICCorp.

DC/DC升压变换芯片—TP83系列

一、概述

TP83系列芯片是采用CMOS工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压转

换器。

该芯片由振荡器、VFM模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较

放大器、电压采样电阻及VLX限幅电路等组成。

TP83系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强

的驱动能力、效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。

输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V可选。

二、芯片特性及主要参数

该设计产品TP83系列DC/DC升压转换器芯片在应用中具有优越的性能：

1.外接元件少：

需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择:低直流电阻电感20～220μ

H，钽电容47～200μF，肖特基二极管。

2.极低的静态电流：4uA

3.低噪声及低纹波：纹波典型值为100mV

4.驱动能力强：Vtyp=3.3V,Vin=1.0V时，Iout=100mA

Vtyp=3.3V,Vin=3.0V时，Iout=750mA

5.启动工作电压低：最大0.8V

6.高效率：85%(Typ)

7.封装体积小：SOT89，SOT23（窄体）

三、应用范围

TP83系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备：

1、电池供电设备的电源部分。

2、玩具、照相机、摄像机、PDA及手持电话等便携式设备的电源部分。

3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。

四、命名规则

内置MOS管命名：外置MOS管命名：

2REV_1.0

南京拓品微电子有限公司

NanJingTopPowerASICCorp.

五、芯片模型及引脚介绍

本设计芯片封装样式如下图，其引脚说明亦如下表所示

引脚说明：

Vss:接地引脚Lx:开关引脚(或Ext外置Tr)OUT:升压输出引脚

封装PIN1PIN2PIN3

SOT89VssOUTLx（Ext）

SOT23（窄体，见封装VssLx（Ext）OUT

结构尺寸）

六、极限参数

对地输入电压VIN10V

输出电流Iout