宏盛微半导体AP280N04TLG5.pdf

下载文档

1
0
约1.84万字
约 7页
2025-03-20 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

宏盛微半导体AP280N04TLG5.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

AP280N04TLG5

45VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP280N04TLG5usesadvancedAPM-SGTVtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=45VI=280A

DSD

RDS(ON)1.3mΩ@VGS=10V（Type：1.1mΩ）

Application

BMS

BLDC

UPS

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP280N04TLG5TOLLA-8LAP280N04TLG5XXXYYYY2000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage45V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1280A

ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1239A

IDMPulsedDrainCurrent1100A

EASSinglePulsedAvalancheEnergy1512mJ

IASAvalancheCurrent70A

PD@TC=25℃PowerDissipation

您可能关注的文档

宏盛微半导体AP300N05TLG5.pdf

文档评论（0）

深圳市宏盛微半导体 + 关注: 实名认证

内容提供者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

宏盛微半导体AP280N04TLG5.pdf