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NEG1160芯片用户手册
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高压大电流半桥驱动芯片
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2018©屹晶微电子有限公司版权所有REV1.0
屹晶微电子有限公司EG1160芯片数据手册V1.0
高压大电流半桥驱动芯片
版本变更记录
版本号日期描述
V1.02018年05月16日EG1160数据手册初稿
2018©屹晶微电子有限公司版权所有
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屹晶微电子有限公司EG1160芯片数据手册V1.0
高压大电流半桥驱动芯片
目录
1.特性1
2.描述1
3.应用领域1
4.引脚2
4.1引脚定义2
4.2引脚描述3
5.结构框图4
6.典型应用电路5
7.电气特性6
7.1极限参数6
7.2典型参数7
7.3开关时间特性及死区时间波形图8
8.应用设计9
8.1REF5V输入电容9
8.2VCC低端电源9
8.3VB高端电源9
8.4输入逻辑信号要求和输出驱动器特性9
8.5自举电路10
9.封装尺寸12
9.1SOP16封装尺寸12
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屹晶微电子有限公司EG1160芯片数据手册V1.0
高压大电流半桥驱动芯片
EG1160芯片数据手册V1.0
1.特性
◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V
◼适应5V、3.3V输入电压
◼最高频率支持500KHZ
◼低端VCC电压范围10V-20V
◼输出电流能力IO+/-2A/2.5A
◼高端MOS管逐周峰值电流保护
◼低端MOS管逐周峰值电流保护
◼内建死区控制电路
◼自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
◼HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出
◼LIN输
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