2025年半导体三极管及其放大电路选择题(答案) .pdfVIP

先天下之忧而忧，后天下之乐而乐。——范仲淹

半导体三极管及其放大电路选择题（答案）

半导体三极管及其放大电路练习卷

一、选择题

1.晶体管能够放大的外部条件是（C）。

a发射结正偏，集电结正偏

b发射结反偏，集电结反偏

c发射结正偏，集电结反偏

2.当晶体管工作于饱和状态时，其（A）。

a发射结正偏，集电结正偏

b发射结反偏，集电结反偏

c发射结正偏，集电结反偏

3.对于硅晶体管来说其死区电压约为（B）。

a0.1V

b0.5V

c0.7V

4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为（B）。

a0.1V

b0.3V

c0.5V

5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和

3.6Ma。则该管的β为（C）。

a40

b50

c60

6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（A）。

a越好

b越差

c无变化

7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（A）

不飞则已，一飞冲天；不鸣则已，一鸣惊人。——《韩非子》

a高

b低

c一样

8.温度升高，晶体管的电流放大系数（A）。

a增大

b减小

c不变

9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|（B）

a升高

b降低

c不变

10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，（C）极的电

位最低。

a发射极

b基极

c集电极

11.温度升高，晶体管输入特性曲线（B）

a右移

b左移

c不变

12.温度升高，晶体管输出特性曲线（A）。

a上移

b下移

c不变

12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔（C）。

a不变

b减小

c增大

12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是（A）

a两者无关

其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》

b有关

c无法判断

15.当晶体管的集电极电流IcmIc时，下列说法正确的是（C）

a晶体管一定被烧毁

b晶体管的PC=PCM

c晶体管的β一定减小

16.对于电压放大器来说，（）越小，电路的带负载能力越强

（B）。

a输入电阻

b输出

c电压放大倍数

17.测得晶体管三个电极对地的电