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DB52/T120132CB003型硅雪崩整流二极管详细规范

DB52/T120132CB003型硅雪崩整流二极管是一种高效能的电子元件，广泛应用于电力电子领域。本文档将详细介绍该型号硅雪崩整流二极管的技术规范和性能参数。

一、产品概述

1.高反向击穿电压：该型号硅雪崩整流二极管具有很高的反向击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于高电压应用场合。

2.低正向压降：在正向导通状态下，该型号硅雪崩整流二极管的压降较低，降低了导通损耗，提高了设备的效率。

3.高反向恢复速度：该型号硅雪崩整流二极管具有快速的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷，提高了开关频率，适用于高频应用场合。

二、技术规范

1.反向击穿电压：该型号硅雪崩整流二极管的反向击穿电压应符合表1的规定。

表1反向击穿电压

|型号|反向击穿电压（V）|

|||

|DB52/T120132CB003|≥800|

2.正向电流：该型号硅雪崩整流二极管在规定的温度和散热条件下，正向电流应符合表2的规定。

表2正向电流

|型号|正向电流（A）|

|||

|DB52/T120132CB003|≥3|

3.正向压降：在规定的正向电流和温度条件下，该型号硅雪崩整流二极管的最大正向压降应符合表3的规定。

表3正向压降

|型号|正向压降（V）|

|||

|DB52/T120132CB003|≤1.2|

4.反向恢复时间：该型号硅雪崩整流二极管在规定的测试条件下，反向恢复时间应符合表4的规定。

表4反向恢复时间

|型号|反向恢复时间（ns）|

|||

|DB52/T120132CB003|≤25|

三、封装与引线

DB52/T120132CB003型硅雪崩整流二极管采用TO220封装，引线形式为直插式。封装外形及引线排列如图1所示。

图1DB52/T120132CB003型硅雪崩整流二极管封装及引线排列

四、使用注意事项

1.安装前，请确保器件的封装完好，无损坏或变形。

2.安装时，应保证器件的散热条件良好，避免过热损坏。

3.在使用过程中，应避免超过器件的最大额定参数，以保证器件的长期稳定运行。

4.器件应存放在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中，避免阳光直射和潮湿。

五、质量保证

本产品严格按照相关国家标准和行业标准生产，质量可靠。如因产品质量问题导致的不良后果，本公司将承担相应的法律责任。