《高性能高密度沟槽栅IGBT器件》.pdfVIP

ICS31.080.01

CCSL42

ACCEM

团体标准

T/ACCEMXXXX—XXXX

高性能高密度沟槽栅IGBT器件

High-performancehigh-densitytrench-gateIGBTdevices

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中国商业企业管理协会发布

T/ACCEMXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4结构1

5技术要求2

6试验方法3

7检验规则3

8标志、包装、运输和贮存4

I

T/ACCEMXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由青岛佳恩半导体有限公司提出。

本文件由中国商业企业管理协会归口。

本文件起草单位：青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体

有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司。

本文件主要起草人：王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、

朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、

李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫。

II

T/ACCEMXXXX—XXXX

高性能高密度沟槽栅IGBT器件

1范围

本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、

运输和贮存。

本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191

GB/T2828.1

GB/T4208—2017外壳防护等级(IP代码)

GB/T5080.7设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案

QC/T1136电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4结构

产品结构如图1所示。

说明：

1——盒盖组件；

2——IGBT芯片组件；

3——