《模拟电子技术》课件——晶体管的共射特性曲线.pptxVIP

模拟电子技术

晶体管的共射特性曲线

内容提要

一、输入特性曲线

二、输出特性曲线

三、晶体管的主要参数及温度影响

四、温度对特性曲线的影响

晶体管的共射特性曲线

一、输入特性曲线

输入特性的表达式，它是一簇曲线。

硅0.5V

死区电压

i(uA)

NPNICB

锗0.1V

Ic80

Bu

CE＞1V硅

b+u0.7V

RCE=0V

+Uc

RbCE40导通压降

Ue锗

BEVCC0.2V

V

BBIE

u

BE(V)

输入回路输出回路0.20.40.60.8

uCE=0,两个结正向并联。与二极管类似

UUU

CBEuCE0,集电结耗尽层变宽，基区变窄，复合变少，基极电流减小右移

uCE1,多数电子被集电极收集，基极电流基本不变

晶体管的共射特性曲线

二、输出特性曲线

输出特性的表达式，它是一簇曲线。

50µA

iC/mAIC

4

40µAIBc

30µAb+

3R

+Uc

20µARbCE

2Ue