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碳化硅晶体外延缺陷 .pdfVIP

碳化硅晶体外延缺陷 .pdf

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    碳化硅晶体外延缺陷

    碳化硅晶体外延缺陷是指在碳化硅单晶衬底上生长的碳化硅薄膜中存在的缺陷。碳化硅外延

    中的缺陷要比其他晶体更多，包括扩展缺陷（微管、贯穿型螺位错（TSD）、刃型位错（TED）

    和基平面位错（BPD））、外延生长期间的位错以及产生的宏观缺陷（三角形缺陷、胡萝卜

    缺陷、生长的堆垛层错和颗粒）等。

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