利用CMOS工艺制造双极型晶体管.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CNA

(43)申请公布日1988.09.07

(21)申请号C

(22)申请日1988.01.26

(71)申请人得克萨斯仪器公司

地址美国得克萨斯

(72)发明人戴维斯普莱特·拉吉夫R··沙汉

(74)专利代理机构上海专利事务所

代理人吴淑芳

(51)Int.CI

H01L21/18

H01L21/70

H01L29/70

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

利用CMOS工艺制造双极型晶体管

(57)摘要

本发明揭示了一种双极型晶体管，

及其与MOSFET器件兼容的制造方法。晶

体管本征基区(54)形成于半导体阱(22)的表

层，并被一层栅氧化层(44)覆盖。栅氧化

层(44)上开出窗口，并且其上淀积掺杂多

晶硅，形成与基区(54)接触的多晶硅发射

极(68)。侧壁氧化层(82，84)形成于多晶硅

发射极结构(68)上。集电区(90)和非本征基

区(100)形成于半导体阱(22)之中，并且相

对于多晶硅发射极侧壁氧化层(82、84)的

对侧边缘自动对齐。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

、一种制造双极型晶体管的方法1,其特征在于,它包括以下步骤:

在半导体基片表面形成属于第一导电类型的半导体阱;

在所述半导体阱中形成第二导电类型的半导体基区;

形成与所述半导体基区接触的、属于所述第一导电类型的多晶硅发射极结构,所

述发射极结构具有侧壁;

在所述多晶硅发射极结构的所述侧壁上形成绝缘体;

在所述阱中形成自动对准所述发射极结构的所述绝缘体、属于第一导电类型的

半导体集电区;

在所述阱中形成自动对准所述发射极结构的所述绝缘体、属于所述第二导电类

型的半导体非本征基区;以及

使一种所述第一导电类型杂质进入所述基区从而形成属于所述第一导电类型的

半导体发射区。

、如权利要求21所述的方法,其特征在于,它还包括,形成覆盖在所述发射极结构

上以防止不需要的相反导电类型的杂质进入所述发射极结构的临时阻挡层。

、如权利要求31所述的方法,其特征在于,它还包括,在所述发射极结构和所述半

导体基区之间形成绝缘体,在所述绝缘体的中心形成窗口,形成穿过窗口与所述半导

体基区接触的所述发射极结构。

、如权利要求41所述的方法,其特征在于,它还包括,在所述半导体基片表面形成

所述基区和所述集电区,形成覆盖所述基区、所述集电区和所述多晶硅发射极结构

的一部分以提供电接触表面的导电硅化物。

、如权利要求54所述的方法,其特征在于,它还包括,在所述半导体基片表面形成

邻接所述基区的所述半导体阱的一部分,形成一层金属覆盖所述半导体阱的一部分

和所述基区的一部分,从而形成与所述双极型晶体管的集电结并联的势垒二极管。

、如权利要求63所述的方法,其特征在于,它还包括,用所述绝缘体形成MOSFET

器件栅极绝缘体,用所述发射极结构的材料形成栅极导体。

、如权利要求76所述的方法,其特征在于,它还包括,在形成所述发射极绝缘体的

同时形成所述栅极绝缘体,在形成发射极结构的同时形成所述栅极导体。

、如权利要求86所述的方法,其特征在于,它还包括,在相应的侧壁绝缘体形成于

所述栅极导体的同一时间用相同步骤在所述发射极结构上形成侧壁绝缘体。

、如权利要求96所述的方法,其特征在于,它还包括,当所述非本征基区形成的同

时形成第一类型MOSFET器件