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三、场效应管放大电路

I

1、当场效应管的漏极直流电流D从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。

A.增大B.不变C.减小

答案：A

2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。

图P1.22

解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值

Uifu

及GS值，建立D＝（GS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。

解图P1.22

R

3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS大的特点。（）

答案：√

U

4.若耗尽型N沟道MOS管的GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）

答案：×

u

5.电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当I＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别

工作在什么区域。

uu

解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以GS＝I。

uu

当I＝4V时，GS小于开启电压，故T截止。

u

当I＝8V时，设T工作在恒流区，根据

i

输出特性可知D≈0.6mA，管压降

uViR

DS≈DD－Dd≈10V

uuu

因此，GD＝GS－DS≈－2V，小于开启电压，

图P1.23说明假设成立，即T工作在恒流区。

uV

当I＝12V时，由于DD＝12V，必然使T工作在可变电阻区。

U

6.GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

答案：A

CCgCCC

7.电路如图P5.14所示，已知gs＝gd＝5pF，m＝5mS，1＝2＝S＝10μF。

ff

试求H、L各约为多少，并写出的表达式。